通過使用LabVIEW,我們能夠快速方便地實現(xiàn)數(shù)字同步檢測和自適應(yīng)濾波技術(shù)。與標(biāo)準(zhǔn)測量方法(多普勒超聲波)相比,我們測量的胎心率結(jié)果精度是較高的。 [詳情]
揭秘數(shù)字UV指數(shù)傳感器Si1132/4x系列
可穿戴設(shè)備通過組合使用UV、IR、運動、手勢、溫濕度和環(huán)境等傳感器,集成復(fù)雜的算法來簡化監(jiān)測,并改善人們健康和提高生活質(zhì)量,這在未來會有很大的發(fā)展空間。例如,一個帶有UV傳感器的可穿戴設(shè)備將能幫助人們監(jiān)測太陽光中的UV強度,并及時報警以提醒戶外活動者避免達(dá)到危險的暴露級別。[詳情]
1月6日在美國拉斯維加斯舉行的世界消費電子大展(CES)吸引了全球4119家參展商,不僅數(shù)量多而且都是巨頭,比如因特爾、三星、高通、華為、松下等。[詳情]
光學(xué)圖像法:測量棉纖維雜質(zhì)技術(shù) 獲得專利
長嶺紡電公司自主研制設(shè)計了一種光學(xué)圖像法測量棉纖維雜質(zhì)的裝置,以實現(xiàn)棉花質(zhì)量檢測的需要。光學(xué)圖像法測量棉纖維雜質(zhì)裝置主要由標(biāo)準(zhǔn)光源、光學(xué)系統(tǒng)、圖像采集卡、計算機及專用的雜質(zhì)圖像處理軟件等組成。 [詳情]
胎心率(FHR)檢測是一種用于胎兒出生前判斷胎兒健康狀況,并幫助識別胎兒缺氧或受壓迫等潛在危險的主要方法。早期檢測的目的是為了降低胎兒發(fā)病率和死亡率。 [詳情]
AC輸入LED驅(qū)動器技術(shù)問題尚存 未來趨勢待定
針對當(dāng)前AC輸入LED驅(qū)動器備受部分韓臺廠商推崇的情況,TI半導(dǎo)體事業(yè)部高性能模擬產(chǎn)品業(yè)務(wù)拓展經(jīng)理劉學(xué)超表示:“AC輸入LED驅(qū)動器存在某些需要解決的技術(shù)問題,目前還不能斷言它就是未來的趨勢。” [詳情]
國內(nèi)OLED新突破 全線打通AMOLED制造工藝技術(shù)
日前,從有關(guān)方面獲悉,昆山工研院新型平板顯示技術(shù)中心(簡稱昆山平板顯示中心)和維信諾公司在國內(nèi)率先全線打通了LTPS-TFT背板和OLED顯示屏制造工藝技術(shù),并于2010年12月24日,開發(fā)成功2.8英寸彩色AMOLED顯示屏,實現(xiàn)了RGB三基色顯示。 [詳情]
散熱管理是新型LED燈中最困難、要求最嚴(yán)格且成本最高的設(shè)計部分。如果不進行充分的散熱管理,將會造成照明失效或火災(zāi)等災(zāi)難性后果。不過,LED燈的散熱管理是整個設(shè)計方案中最復(fù)雜、要求最嚴(yán)格且成本最高的部分。 [詳情]
LED通常按照主波長、發(fā)光強度、光通亮、色溫、工作電壓、反向擊穿電壓等幾個關(guān)鍵參數(shù)進行測試與分選。LED的測試與分選是LED生產(chǎn)過程中的一項必要工序。目前,它是許多LED芯片和封裝廠商的產(chǎn)能瓶頸,也是LED芯片生產(chǎn)和封裝成本的重要組成部分。 [詳情]
藍(lán)寶石由于硬度高、導(dǎo)電性和導(dǎo)熱性差等原因,對后期器件加工和應(yīng)用帶來很多不便,SiC同樣存在硬度高且成本昂貴的不足之處,而價格相對便宜的Si襯底由于有著優(yōu)良的導(dǎo)熱導(dǎo)電性能和成熟的器件加工工藝等優(yōu)勢。 [詳情]
大多數(shù)白色LED是由藍(lán)色LED照射黃色熒光粉而得到的。引起LED光衰的主要原因有兩個,一個是藍(lán)光LED本身的光衰,藍(lán)光LED的光衰遠(yuǎn)比紅光、黃光、綠光LED要快。還有一個是熒光粉的光衰,熒光粉在高溫下的衰減十分嚴(yán)重。 [詳情]
對于惠普而言,2015年可謂忙碌的一年。截止11月份,它還是一家具有傳奇色彩的硅谷計算機公司。[詳情]
信息技術(shù)與制造業(yè)的深度融合,讓家電變得更“懂你”,給消費者帶來更多驚喜。近年來,家電業(yè)克服不利因素,運行質(zhì)量明顯提高、技術(shù)創(chuàng)新能力顯著提升、產(chǎn)品結(jié)構(gòu)持續(xù)優(yōu)化,轉(zhuǎn)型升級成效顯著。[詳情]
日前,一項最新研究顯示,一種亞洲大黃蜂身體內(nèi)置“太陽能電池”,可利用皮膚色素將吸收的太陽光轉(zhuǎn)換成為電能,這也是動物王國中唯一具有該特性的動物。 [詳情]
業(yè)內(nèi)關(guān)于改善LED散熱性能的相關(guān)途徑分析
大功率LED 的發(fā)卡路里比小功率LED高數(shù)十倍以上,并且溫升還會使閃光速率大幅下跌。具體內(nèi)部實質(zhì)意義作別是:減低芯片到封裝的熱阻抗、制約封裝至印刷電路基板的熱阻抗、增長芯片的散熱順利通暢性。 [詳情]