5月17日，有媒體報道稱，臺積電宣布啟動1.4nm芯片制程工藝的開發(fā)，將在今年6月將其3nm工藝研發(fā)團隊轉(zhuǎn)為1.4nm工藝研發(fā)團隊。同時，有消息稱，三星對此也將采取相應(yīng)措施。若消息屬實，意味著先進工藝的技術(shù)競爭已經(jīng)變得愈發(fā)激烈。

此前，臺積電稱，預(yù)計3nm制程將于今年下半年開始出貨，2023年實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)，2nm也將在2025年如期量產(chǎn)。現(xiàn)在，臺積電將提前啟動1.4nm制程工藝的研發(fā)。

臺積電此舉或許與三星、英特爾的競爭有關(guān)。此前，三星在“Foundry Forum 2021”上宣布，將于2025年大規(guī)模生產(chǎn)2nm制程芯片。隨后，三星負責(zé)人在董事會報告中提到，三星在3nm的產(chǎn)能上已經(jīng)得到重大改善，在邏輯面積效率上提高了45%，功耗降低了50%，在性能上提升了35%。英特爾也在此前宣布，將在2024年正式進入埃米時代，并推出第一個埃米時代的產(chǎn)品——Intel 20A。作為先進制程領(lǐng)域的“領(lǐng)頭羊”，臺積電不得不開啟“反攻”模式。可見，盡管在先進制程的賽道中，僅僅剩下了臺積電、三星、英特爾三家企業(yè)，但依舊火藥味十足，競爭相當(dāng)激烈。

不過，近兩年先進制程的“翻車”情況也屢見不鮮。2021年初，三星代工的5nm手機芯片出現(xiàn)了功耗問題，而這一問題，在2022年三星代工的4nm手機芯片中也同樣存在。臺積電的4nm手機芯片，也同樣出現(xiàn)了功耗過高問題。英特爾從10nm制程開始，便頻頻陷入“難產(chǎn)”的困境。可以看出，隨著芯片工藝尺寸進一步微縮，技術(shù)挑戰(zhàn)也在不斷增加。

盡管困難重重，但卻沒有阻礙這三家企業(yè)在先進制程領(lǐng)域的競爭。據(jù)悉，在日前臺積電舉辦的法說會上，臺積電預(yù)計2022年的資本支出將達400億美元至440億美元，而70%~80%的資本支出將用于先進工藝制程（7nm及以下工藝制程）。2022年，三星不僅計劃在半導(dǎo)體方向投入超360億美元，還宣稱將在代工業(yè)務(wù)層面著力提高先進工藝的良率，在2022年上半年將通過第一代GAA工藝的量產(chǎn)再奪技術(shù)領(lǐng)先“寶座”。此外，英特爾在2022年的資本開支或?qū)⒏哌_280億美元，甚至一度傳出擬將3nm芯片委由臺積電代工，以提升其在先進制程方面的競爭力。